Автор - Шретер Ю.Г., Ребане Ю.Т., Зыков В.А. и др.
Издательство - СПб. Наука.
Страниц - 126 с., 62 илл.
Год издания - 2001 г.
Переплет - Твердый
Формат - Увеличенный
Вес - 260 гр.
ISBN - 5-02-024959-9

Стоимость пересылки книги по России заказной бандеролью по предоплате - 109 руб.

В учебном пособии рассматриваются физические свойства широкозонных полупроводников - GaN, SiC и алмаза, технология изготовления эпитаксиальных пленок и структур на их основе и даются приборные приложения. Первая часть пособия посвящена бинарным и тройным широкозонным нитридам А(3) В(5), а последующие - другим широкозонным полупроводниковым материалам - карбиду кремния и алмазу. Успехи в технологии получения эпитаксиальных пленок GaN, InxGa(1-x)N и AlxGa(1-x)N заложили основы для широкого применения этих материалов в лазерной технике видимого и УФ-диапазонов, в светотехнике позволили заменить обычные лампы накаливания на твердотельные источники белого света, а в компьютерной технике - использовать оптические диски и полноцветные твердотельные дисплеи. В пособии подробно рассмотрены кристаллическая структура, особенности зонного спектра, электрические, оптические и упругие свойства нитридов GaN, AIN, InN и твердых растворов на их основе. Проанализированы физико-химические свойства материалов, определены условия синтеза и эпитаксиального роста пленок, описаны современные технологии получения пленок и тонкопленочных структур на основе нитридов III группы элементов периодической системы Менделеева. Приведен обзор основных приборных приложений материалов этой группы. Тираж 1 000 экз.